京經信發〔2026〕5號
各區工業主管部門：
現將《北京市原子級製造創新發展行動計劃（2026—2028年）》印發給你們，請認真貫徹落實。
北京市經濟和資訊化局
2026年1月23日
北京市原子級製造創新發展行動計劃（2026—2028年）
為加快推動本市原子級製造産業創新發展，特製定本計劃。圍繞半導體、新材料等領域典型應用，加快突破原子級製造工業軟體和重點裝備。力爭到2028年，面向半導體與新材料領域，開發5種原子級製造軟體工具，研製不少於10項原子級製造創新裝備，形成10類原子級製造典型應用和解決方案，初步構建國內領先的原子級製造技術創新高地和典型應用標桿。
一、實施原子級製造軟體支撐工程
1.開發原子級動態倣真軟體。支援高校院所和企業攻克量子效應、界面態調控、缺陷演化機制等技術，應用人工智慧技術，研發支援原子級精準建模、多場耦合模擬、製程參數優化、品質監測的倣真軟體，提升原子級製造預測精度、工藝倣真效率與製造過程可調控性。
2.開發原子級製造工藝設計軟體。支援高校院所和企業攻克原子級界面性質預測、動態模擬及界面材料設計等技術，建立面向原子級製造界面服役行為的原子尺度模擬預測軟體，支撐原子級精度表面材料去除、接觸界面原子級磨損調控等工藝實現。
3.開發原子級相變調控軟體。支援高校院所和企業攻克原子級相結構演化、路徑篩選、晶界模擬技術瓶頸，研發遍歷性相變搜索與調控軟體，支撐電子器件失效性及良品率工藝改良性研究。
4.開發原子級表面檢測軟體。支援企業攻克原子級表面檢測關鍵技術，研製檢測裝備配套軟體，支撐電漿輔助拋光、彈性發射加工、離子束拋光等在機械平坦化設備上實現工程應用。
5.構建原子級製造基礎數據庫。支援高校院所和企業構建原子級結構穩定性、材料性質、器件性能的跨尺度預測技術框架，建立標準化的原子級製造理論數據庫，為原子製造過程的結構篩選、逆向設計、工藝優化等提供數據支援。
二、實施原子級加工裝備攻關工程
1.攻關單晶矽晶圓埃米級去除裝備。支援企業開展光輔助化學機械拋光、電輔助化學機械拋光、電漿體輔助拋光、超聲輔助化學機械拋光等核心技術攻關，實現單晶矽晶圓去除率達到埃米級，表面起伏達到原子級精度，滿足半導體前道工序晶圓製備工藝需求。
2.攻關硅晶圓原子級精度刻蝕裝備。支援企業開展原子層精確刻蝕控制技術攻關，實現原子精度硅基晶圓刻蝕，滿足半導體先進製程産線需求，刻蝕片內均勻性、刻蝕片間均勻性等指標滿足半導體中段工藝刻蝕工藝需求。
3.攻關半導體晶圓微米級減薄裝備。支援企業開展半導體晶圓封裝原子級減薄控制技術攻關，實現12英寸鍵合晶圓單邊可減薄到微米級，滿足先進封裝、高頻寬記憶體堆疊表面加工需求。
4.攻關超高速軸承材料製備裝備。支援高校院所和企業開展超滑近零損傷材料攻關，實現航空航太等領域高性能核心運動表面的磨損率量級優化，滿足高可靠長壽命軸承等核心零部件的製造需求。
5.攻關二維金屬材料製備裝備。支援高校院所和企業開展范德華擠壓等技術攻關，研製二維金屬擠壓裝備，實現材料厚度達到奈米級的多種二維金屬製備。
6.攻關半導體超高真空環境保持裝備。支援企業開展原子級製造超高真空離子複合泵核心部件攻關，提升超高真空泵對氫氣、甲烷等氣體抽送速度，滿足半導體製造腔體超高真空使用需求。
三、實施原子級構築裝備攻關工程
1.攻關薄膜沉積裝備。支援高校院所和企業攻克高均勻性、薄膜表面低顆粒水準控制技術，研製金屬鎢、氧化鋁、氮化硅等材料薄膜沉積裝備，實現原子級厚度薄膜製備。
2.攻關靶材製備裝備。支援高校院所和企業攻克材料提純、晶體生長與取向控制等核心技術，研製單晶銅電鑄原子級構築等裝備，實現單晶銅靶材規模化製備。
3.攻關外延生長裝備。支援高校院所和企業攻克原子級精度外延生長核心技術，研製二維半導體材料外延裝備，實現8英寸晶圓二硫化鉬等單原子層薄膜製備。
4.攻關離子注入裝備。支援高校院所和企業攻克離子生成、加速、篩選、注入及後處理等精準摻雜控制技術，研製離子注入裝備，提升束流均勻性、平行度、最大發散角、能量精度控制能力，支撐半導體先進製程工藝。
5.攻關原子級圖案化結構構築裝備。支援高校院所和企業攻克原子自組裝、掃描探針、奈米壓印等核心技術，研製原子級圖案化結構構築裝備，在宏觀柔性基底表面實現多種電子奈米材料圖案高精度構築，滿足柔性電子器件製造需求。
6.攻關硅基可控碳原子連續沉積裝備。支援高校院所和企業攻克特種氣氛條件下，大尺寸、連續化、硅基碳原子連續沉積裝備，研製高定向碳膜與硅晶圓複合材料，實現高靈敏特種感測器和超高導熱硅晶圓製備。
四、實施原子級性能測量裝備攻關工程
1.攻關鐳射干涉測量裝備。支援企業攻克光波相位穩定性控制與奈米級運動誤差抑制等核心技術，研製亞埃級邁克爾遜鐳射干涉測量裝備，實現氣浮工件臺超精密位置測量，滿足前道圖形製作裝備實現套刻精度的測量表徵需求。
2.攻關封裝檢測裝備。支援高校院所和企業攻克高解析度磁場探測、高精度溫度場測量等核心技術，研製磁場、溫度場、原子力、掃描電鏡等微納顯微測量裝備，滿足先進封裝積體電路晶片失效分析和原位缺陷定位需求。
3.攻關超低濃度污染物檢測裝備。支援企業攻克高靈敏度傳感機制設計，研製二維材料調控傳感晶片測試關鍵部件，實現2～12英寸二維材料光電傳感晶片晶圓製備，滿足環境小分子監測如ppb級氣體傳感測量需求。
五、實施原子級製造應用突破工程
1.面向半導體製造、新材料創制等領域，在半導體拋光、沉積、減薄、檢測以及二維材料製備、柔性電子器件材料製備、單晶銅靶材製備、特種粉末材料製備等方面打造原子級製造典型應用。
2.聚焦半導體領域先進製程晶片製造與新材料領域特殊性能材料規模化創制需求，開展原子級製造工藝技術、核心裝備的成熟度提升，以及典型場景原子級製造整合驗證，牽引和帶動原子級製造技術與裝備“成組連線”應用試點。
六、保障措施
梯度培育原子級製造領域科技型中小企業、高新技術企業，創新型中小企業、專精特新中小企業、專精特新“小巨人”企業。加強瞪羚企業、獨角獸企業和製造業單項冠軍企業的識別和培育。積極爭取國家專項資金支援，統籌市、區財政資金，組織原子級製造領域標誌性産品和關鍵技術攻關。將原子級製造作為“創贏未來”路演方向，對企業實施的新技術新産品攻關驗證、典型場景建設等早期創新創業項目給予資金支援。鼓勵企業和高校引育高水準複合型人才，加強産業人才隊伍建設。推動優勢區域和産業集聚區建設原子級製造産業育新平臺，強化用地保障。推動設立原子級製造標準化委員會，建設原子級製造領域製造業中試平臺等載體，充分發揮原子級製造創新發展聯盟優勢，服務和支撐本市原子級製造産業高水準創新發展。