政務公開 > 政策公開 > 規範性文件
  1. [主題分類] 經濟、交通/資訊産業
  2. [發文機構] 北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會
  3. [聯合發文單位]
  4. [實施日期] 2022-08-05
  5. [成文日期] 2022-08-05
  6. [發文字號] 〔〕
  7. [廢止日期] 2022-08-28
  8. [發佈日期] 2022-08-05
  9. [有效性]
  10. [文件來源] 政府公報 年 第期(總第期)

關於徵集2022年度新一代資訊通信技術創新專項積體電路領域課題的通知

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  為促進我市積體電路科技創新及産業發展,現面向本市創新主體公開徵集2022年度積體電路領域課題。2022年度擬在積體電路領域計算晶片、模擬晶片、EDA工具等3個方向開展課題徵集,擬支援10個課題,擬安排市財政科技經費4200萬元。課題統一按指南二級標題(如 1.高能效存內計算晶片)的研究方向申報。2022年度積體電路領域具體指南方向及申報要求如下:

  一、徵集方向

  (一)新型架構計算晶片

  1.高能效存內計算晶片

  面向物聯網、移動終端、智慧無人系統等場景對高能效計算的需求,針對現有計算架構中“功耗墻”“記憶體墻”等系列問題,研製基於傳統或新型記憶體件的存內計算晶片。研究存內計算單元及其工藝實現,研究新型存內計算架構及系統關鍵技術,研究核心典型神經網路基於存內計算的優化部署及可重構架構技術,部署面向音頻、視頻等典型智慧處理場景的應用驗證。

  2.高整合感存算一體晶片

  面向物聯網、智慧無人系統、自動駕駛等系統中對視覺感測器智慧化、小型化、低功耗、低延時等不同需求,研製視覺傳感-存儲-計算一體化(感存算一體)的高整合度高能效系統級晶片。研究將智慧感知任務在模擬和混合信號域實現傳感信號處理的電路技術和軟硬體聯合優化方法;開發面向典型智慧視覺感知場景的演算法;完成面向超低功耗、超高速度需求的智慧視覺感知場景應用驗證。

  (二)高端模擬晶片

  3.高精度ADC晶片

  面向智慧製造、測試裝備、儀器儀錶等應用場景對高精度模擬參數(如電壓、電流、溫度、壓力等)測量的迫切需求,研發高精度ADC晶片。研究高線性度、低溫漂、低噪聲、低功耗的ADC晶片設計技術;研究數字輔助模擬電路設計技術以及高精度器件失配誤差校準技術;研究高信噪比、低諧波失真的模擬前端電路設計技術;完成面向典型工業測控場景的功能驗證。

  4.高性能時鐘晶片

  面向數據中心、通信及物聯網設備高速數據傳輸對高性能時鐘時間同步晶片的迫切需求,研製實現同步授時、高精度時間同步、低抖動任意頻率産生等適合各行業時鐘時間同步的系統級時鐘晶片。研究智慧化演算法控制時頻同步晶片系統架構;研究低抖動的時鐘抖動濾除鎖相環技術、高性能小數分頻技術、高精度時間誤差檢測技術;完成面向典型場景的應用驗證或規模化商用。

  5.超高清長距離HDMI傳輸晶片

  面向超高清長距離傳輸對高速、低功耗數據傳輸的迫切需求,研製48Gbps傳輸速率的HDMI2.1規格傳輸晶片;研究低功耗超高清視頻發送器及超高頻寬、自適應均衡視頻接收器;研究低抖動時鐘及展頻時鐘鎖相環路技術、基於相位插值的任意小數分頻時鐘産生技術;研究超高清視頻實時雙向傳輸技術;研究音頻嵌入提取及視頻壓縮技術;實現面向超高清視頻長距離網線及光纖實時雙向傳輸的規模化商用。

  6.超高速低功耗介面晶片

  面向高性能計算、數據中心等對高密度、低功耗、高可靠數據傳輸的迫切需求,研發可實現100Gbps及以上傳輸速率的超高速Serdes晶片。研究高速低功耗數據串化驅動發送和接收鏈路;研究多相位超低抖動時鐘産生電路和時鐘相位校準技術、接收端均衡技術、高速介面寬頻阻抗匹配技術;與具體的協議層結合形成符合標準的晶片,完成典型場景的應用驗證。

  (三)EDA工具

  7.通用參數化版圖單元設計軟體

  面向先進積體電路製造工藝,研發通用參數化版圖單元設計軟體。研究參數化版圖單元的通用描述語言;研究通用描述語言的高效語法分析和抽象語法樹優化技術,研究虛擬版圖單元到目標版圖單元的自動生成技術;研究針對複雜模擬器件的虛擬版圖單元可復用高性能函數庫;研究虛擬版圖單元的可視化編輯和調試技術;研究虛擬版圖單元的DRC實時驗證技術;完成面向後端版圖設計需求的應用驗證。

  8.積體電路測試綜合EDA工具

  面向積體電路設計流程中對保障晶片品質的自動測試電路設計EDA工具的迫切需求,研發整合可測試性設計-測試生成-故障診斷一體化的積體電路測試綜合EDA工具。研究同時支援高故障覆蓋率與高故障區分率的邏輯電路測試向量生成方法,研究高並行故障倣真技術;研究同時支援故障測試與故障診斷的可測試性設計方法,研究針對多故障的邏輯電路診斷方法;完成測試綜合EDA工具在國産處理器晶片設計中的應用驗證及商業化應用。

  9.模擬電路寄生參數提取與分析平臺

  面向高端工藝模擬電路寄生參數提取與分析的需求,研發模擬電路寄生參數提取與分析工具平臺。研究支援高端工藝下的各種寄生效應,包括etch效應、CMP效應、raised diffusion結構等對寄生參數的影響;研究晶片級準確快速的電晶體級寄生參數提取演算法;研究支援多機模式的並行提取演算法;研究基於寄生網表的大規模寄生參數分析技術;完成晶片級模擬電路寄生參數提取與分析工具在實際模擬電路晶片設計上的應用驗證。

  10.電源完整性倣真分析與診斷平臺

  面向多尺度結構先進封裝設計的電源完整性分析迫切需求,研發高效高精度電源完整性倣真分析與診斷平臺。研究從釐米級到奈米級的多層超大型積體電路版圖的多個多邊形對齊和簡化處理技術、場域識別技術;研究系統級先進封裝結構的多尺度結構的網格剖分平臺;研究求解場的超大規模稀疏矩陣並行求解技術;研究先進封裝設計版圖的錯誤診斷技術;實現先進封裝電源完整性分析的高效高精度倣真與診斷。

  二、支援額度及週期

  定額資助,第1-2項課題支援經費為500萬元,其他課題支援經費為400萬元。課題研究內容必須涵蓋對應子方向所列的全部內容。課題實施週期一般為2年,不超過3年。

  三、申報要求

  1.申報課題應具有較為明確的技術路線,較強的産業牽動力、貢獻力和社會效益,具有清晰、可量化的目標及考核指標。

  2.申報單位須為在北京地區註冊、具有獨立法人資格的企業或事業單位,具有相應的科研能力和條件,運作管理規範。鼓勵企業牽頭,産學研用結合。

  3.申報單位及申報負責人須符合《北京市科技計劃項目(課題)管理辦法》和《北京市科技計劃管理相關責任主體信用管理辦法》要求;近3年內在申請各級各類科研項目(課題)中無不良信用記錄。無行政處罰或違法記錄,無不良科研誠信記錄。

  4.申報單位為企業的,原則上可參與該專項申報不超過1項,課題投資總額和資金來源應明確説明,應提供相應配套經費,配套經費與科技經費比例不低於2:1。

  5.申報負責人作為負責人承擔北京市科技計劃項目(課題)原則上不超過2項,作為主要參加人員參與課題數原則上不超過3項。

  四、申報方式

  1.採取線上申報方式。申報單位通過法人一證通登錄“北京市科技計劃綜合管理平臺-線上服務系統”(https://mis.kw.beijing.gov.cn/)更新本單位資訊後,申報人登錄系統並綁定單位,選擇對應的申報類型,完成實施方案填報,並上傳課題簡表(見附件,情況簡表及考核指標均不超過兩頁)以及申報課題所需的其他證明性材料。

  2.申報單位科研主管部門負責審核線上申報方案,申報時限內統一提交,下載列印申報清單後,一式一份加蓋單位公章,掃描成PDF文件後上傳至系統。

  3.課題申報受理截止日期為2022年8月28日24:00,屆時系統自動關閉。

  4.諮詢服務

  政策諮詢電話:010-88827942、010-88827943、010-88827945

  技術諮詢電話:010-58858680、010-58858685

  諮詢服務時間:9:00-12:00,14:00-17:30(工作日)

  附件:課題簡表

北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會    

2022年8月5日  

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